[实用新型]一种大功率瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型涉及一种大功率瞬态电压抑制器，大功率瞬态电压抑制器采用P型衬底硅片，在现有大功率瞬态电压抑制器（TVS）结构基础上，在P型衬底与P型外延层之间增加了N+埋层，深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接，通过深N+多晶硅或深N+区/金属/金属焊线/金属框架进行引出，形成寄生NPN晶体管，即D1反向二极管与D2正向二极管，并使该NPN晶体管的发射极与基极短接。本实用新型的优越性在于：在不增加TVS器件面积的前提下，可以大大提升器件的电流能力、提升功率，最大浪涌电流可以提高50％以上。寄生的NPN晶体管具有极小的导通电阻，最终器件导通后的钳位电压更低，保护性能更强。