[实用新型]一种垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 202020458059.6 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN212136470U | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 李勤辉 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极，所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN层。由于N电极通过隔离槽穿过绝缘反射层、欧姆接触层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层，并与n‑GaN层形成欧姆接触，不仅能减少对发光面出光的遮挡，改善了芯片边缘与孔内暗区等现象，发光光斑较为规则，更有利于产业链下游的光路设计；同时还在芯片内部形成更好的导热通道，从而改善了局部电流拥堵的问题，使得LED芯片在使用过程中局部温度过高的问题得到了大幅改善，甚至完全解决，从而延长了LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
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