[实用新型]一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管有效

专利信息
申请号: 202020458163.5 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN213124445U 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 戴茂州;高巍;廖运健 申请(专利权)人: 成都蓉矽半导体有限公司
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人: 韩登营
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提出了一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管,包括:第一导电类型的碳化硅衬底;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区,设置于该衬底上;具有第二导电类型的电流分布层设置于该漂移区上;具有第一导电类型的第一阱区设置于该电流分布层上;具有第二导电类型的第二阱区设置于第一阱区上;具有第一导电类型的基区设置于第二阱区上;具有第二导电类型的第一接触源极区设置于基区并且与该发射极接触区相邻但相隔开;该发射极接触区、第一接触源极区与第二接触源极区;多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移区中;栅极,设置于衬底上方相应的每一个沟槽中,包括于相应沟槽内的侧壁形成栅极绝缘层,并以多晶硅填充。
搜索关键词: 一种 新型 碳化硅 沟槽 绝缘 双极晶体管
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都蓉矽半导体有限公司,未经成都蓉矽半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020458163.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top