[实用新型]硅片用顶齿以及顶齿组有效
申请号: | 202020471737.2 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN211789063U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 张勇;廖庆林;磨建新 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了硅片用顶齿(100)以及顶齿组(200),其中,硅片用顶齿(100),包括齿件基座(110),在长度方向的第一端(111),设有用于支撑硅片(101)的支撑部(112);第一齿件(120),设置在支撑部(112)的一侧,具有第一表面(121),第一表面(121)的表面粗糙度为Ra0.1μm以下;以及第二齿件(130),安装到支撑部(112)的另一侧,具有与第一表面(121)相对的第二表面(131),第二表面(131)的表面粗糙度为Ra0.1μm以下;支撑部(112)、第一表面(121)和第二表面(131)形成用于容纳硅片(101)的顶齿槽(140)。本实用新型的硅片用顶齿在硅片的生产过程中,能够降低硅片表面被划伤的风险。 | ||
搜索关键词: | 硅片 用顶齿 以及 顶齿组 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的