[实用新型]便于后续加工的GaN器件晶圆结构有效
申请号: | 202020472201.2 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN211350655U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 刘春利 | 申请(专利权)人: | 深圳镓华微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人: | 唐玲玲 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种便于后续加工的GaN器件晶圆结构,包括GaN器件晶圆,在所述GaN器件晶圆的边缘进行刻蚀到衬底或基板使得所述GaN器件晶圆的功能层的边缘为圆形,在所述衬底或基板上覆盖一圈保护介质,所述保护介质构成边缘刻蚀后的所述GaN器件晶圆的保护环。本实用新型能够有效提高GaN器件晶圆在后续加工成GaN器件的性能可靠性以及良品率。 | ||
搜索关键词: | 便于 后续 加工 gan 器件 结构 | ||
【主权项】:
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