[实用新型]便于后续加工的GaN器件晶圆结构有效

专利信息
申请号: 202020472201.2 申请日: 2020-04-02
公开(公告)号: CN211350655U 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 刘春利 申请(专利权)人: 深圳镓华微电子有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/02
代理公司: 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 代理人: 唐玲玲
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种便于后续加工的GaN器件晶圆结构,包括GaN器件晶圆,在所述GaN器件晶圆的边缘进行刻蚀到衬底或基板使得所述GaN器件晶圆的功能层的边缘为圆形,在所述衬底或基板上覆盖一圈保护介质,所述保护介质构成边缘刻蚀后的所述GaN器件晶圆的保护环。本实用新型能够有效提高GaN器件晶圆在后续加工成GaN器件的性能可靠性以及良品率。
搜索关键词: 便于 后续 加工 gan 器件 结构
【主权项】:
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