[实用新型]一种低残压低容值的ESD器件有效
| 申请号： | 202020477945.3 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN211507635U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张跃 | 申请（专利权）人： | 欧跃半导体（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李英俊 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种低容值低残压ESD保护器件，由两个低容二极管(D1、D2)、一个SCR管和一个穿通型钳位TVS构成三端器件，第一降容管D1的阳极与SCR管的阴极相连，D1管的阴极与D2的阴极相连形成第一端口IO1，T1的阳极与TVS管的阴极形成第二端口IO2，TVS的阳极与D2的阳极构成第三端口GND。本实用新型通过将SCR管结构与降容管的集成，实现了低容低残压保护，器件结构上利用SCR管的半骤回特性有效降低了器件的残压，并通过高阻外延层降低了器件的结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压低 esd 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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