[实用新型]一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202020505108.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN211629116U | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 弓小武;张弦;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 | 申请（专利权）人： | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，包括N漂移区，在N漂移区内设置的P‑body区，在P‑body区内的表面设置有P+接触层，在P‑body区内P+接触层外围设置有N+源区，其特征在于在P+接触层下方的P‑body区内设置有收集杂散电流的P+埋层；在P‑body区外围的N漂移区表面设置有N+掺杂区；P+埋层的浓度要求比所在区域的P‑body掺杂浓度要高1‑5个量级；N+掺杂区的浓度应低于P‑body区的浓度，且高于N漂移区的浓度。其优点在于可降低导通电阻，增加器件工作安全区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 通电 增加 安全 工作 功率 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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