[实用新型]具有沟槽结构的半导体器件有效
| 申请号： | 202020513822.0 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN212113729U | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;张永杰;孙倩;黎沛涛 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 王媛 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本实用新型公开具有沟槽结构的半导体器件。半导体器件包括：基底；漂移层；阱区；设置在阱区上的第一接触区和第二接触区；沟槽，沟槽的侧壁与第一接触区和阱区接触；第一掩埋区和第二掩埋区，设置在沟槽的底壁的下方并且与底壁接触；栅区，设置在沟槽中；第一源金属区，设置在沟槽中并且位于栅区下方；栅氧化区；第二源金属区，设置在第一接触区和第二接触区上方，并且与第一源金属区电连接；以及漏金属区。根据本实用新型的半导体器件具有更高的器件密度、更好的电流能力、和更小的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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