[实用新型]一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件有效
| 申请号： | 202020521478.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN211507644U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;魏峰;范炜盛;王帅;张英鹏;赵鹏;范婷 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件，包括P型或N型衬底硅片，其中，在P型或N型衬底的双面通过PN结主结制备后减薄工艺和二次同型掺杂扩散结形成纵向TVS防浪涌器件，所述的PN结的结深为15‑35μm，在掺杂面的表面有接触金属层，在衬底侧面覆盖有钝化层。本实用新型对于对长波长浪涌能力有要求的器件，如：IEC61000 10/1000μs浪涌波形、ISO7637‑2 5A/5B波形提升效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 能力 低残压 tvs 器件 | ||
【主权项】：
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