[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202020552104.4 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN212136452U | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾莺华 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底；依次层叠设置于衬底上的成核层、缓冲层、背势垒层、沟道层、势垒层；与所述势垒层相接触的源极和漏极；设于所述势垒层上除所述源极和所述漏极以外区域的冒层；设置于冒层上除源极、漏极、栅极以外区域的钝化层；设于所述冒层上的栅极；其中，成核层的材料为AlN；背势垒层厚度大于1nm；沟道层的厚度小于300nm；势垒层的厚度为1nm‑10nm；冒层的厚度大于0.1nm；该半导体结构还包括：设于缓冲层与背势垒层之间的过渡层、以及设于背势垒层与沟道层之间的插入层。本申请通过设置半导体结构的整体结构以及关键结构层的厚度，能够进一步提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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