[实用新型]光激发可控硅开关有效
| 申请号： | 202020598722.2 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN211507636U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 侯宁;韩平 | 申请（专利权）人： | 深圳市和创元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/74;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人： | 李捷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区沙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种光激发可控硅开关，该可控硅开关设有硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个晶闸管、至少一个通过产生电磁辐射触发晶闸管开启的硅二极管及至少一个可将晶闸管与硅二极管之间物理和电隔离的沟槽，所述硅二极管设于所述晶闸管内部或侧部。本实用新型具有可靠性高、能耗低及成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 可控硅 开关 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
