[实用新型]碳化硅晶体的生长装置有效

专利信息
申请号: 202020619456.7 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN212834141U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 徐良;杨新鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春;占俊杰 申请(专利权)人: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 佟林松
地址: 321000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供了一种碳化硅晶体的生长装置,该生长装置包括坩埚组件和籽晶固定器,所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖,所述石墨隔板设置在坩埚体上部,并且石墨隔板上具有通气孔结构,所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔;所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧,且位于石墨隔板上方。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流,降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。
搜索关键词: 碳化硅 晶体 生长 装置
【主权项】:
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