[实用新型]一种四元系张应变半导体激光外延片有效

专利信息
申请号: 202020636232.7 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN212659825U 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 罗帅;季海铭;徐鹏飞;王岩;赵春龙;徐智鹏 申请(专利权)人: 江苏华兴激光科技有限公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/028;H01S5/34
代理公司: 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 代理人: 邓寅杰
地址: 221300 江苏省徐州市邳州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种四元系张应变半导体激光外延片,其不同之处在于:其由下至上依次包括衬底、缓冲层、光栅层、InP盖层、覆盖层、隔离层、下限制层、下渐变波导层、多量子阱层、上渐变波导层、上限制层、上包层、上渐变层和接触层,所述光栅层和InP盖层上制备有N面光栅图形。本发明制备的激光外延片提高了载流子的输运速度和半导体激光器的光增益及可靠性。
搜索关键词: 一种 四元系张 应变 半导体 激光 外延
【主权项】:
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