[实用新型]半导体台面二极管芯片有效
| 申请号： | 202020637989.8 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN211578763U | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 魏兴政;李浩 | 申请（专利权）人： | 济南兰星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人： | 庞庆芳 |
| 地址： | 250200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于二极管加工应用技术领域，涉及台面二极管芯片，尤其涉及一种半导体台面二极管芯片。包括硅片衬底层、设置在硅片衬底层底部的N+阴极层以及设置在硅片衬底层顶部的P+阳极层，所述硅片衬底层和P+阳极层呈台面状设置，所述硅片衬底层的底部还设置有P+场限圈，所述P+场限圈包裹在P+阳极层外设置，所述P+场限圈和P+阳极层之间间隔设置，本实用新型通过在硅片衬底层的上表面加设P+场限圈，使P+场限圈与硅片衬底层之间形成一个PN结，进而拓宽PN结终端空间电荷区宽度，同时P+场限圈与P+阳极层之间间隔设置，进而避免器件体内漏电流不受P+场限圈影响，从而使半导体台面二极管芯片击穿电压高，漏电流小，耐压能力强且可靠性强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 台面 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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