[实用新型]一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构有效
| 申请号： | 202020647545.2 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN212198497U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 凤瑞;周铭;商兴莲 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构，将MEMS器件敏感结构中的质量块离散为多个子质量块，各子质量块分别由独立的弹性梁支撑在衬底上；各子质量块分别对应设置检测其运动信号的子检测电极；位于各子质量块同一偏转方向侧的各子检测电极串联连接。本实用新型通过将质量块离散成各子质量块，使各子质量块的质量、面积进行了减小，对应的冲击加速度在子质量块上产生的惯性力也相应的减小。通过合理设计，单个子质量块的抗冲击能力较原有整体质量块大幅提升。该方法不仅可以提高MEMS器件的抗冲击能力，也可用于抑制MEMS器件敏感结构受加速度影响而产生的g灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 离散 mems 器件 冲击 结构 | ||
【主权项】：
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