[实用新型]一种表面纳米阵列结构的锗半导体热光伏电池

摘要

本实用新型公开了一种表面纳米阵列结构的锗半导体热光伏电池，其特征是：包括p型衬底；背面电极，其设置在p型衬底的底面；n型层，其设置在p型衬底的表面且纵截面呈“凹”字型；及栅条形表面电极，其设置在n型层的表面；纳米阵列，其设置在n型层的凹面上。本实用新型是利用纳米光子学结构的光学散射共振效应增强光电转换有源区的光吸收，从而提升器件的光电转换效率。本实用新型选择成本较低的窄带隙锗半导体作为光电转换材料，可以采用自组装纳米球掩膜刻蚀方法制备纳米阵列结构，不需要引入复杂的多层光学薄膜便可以获得较高的光电转换效率，具有工艺过程简单、材料成本低、转换效率高等特点。