[实用新型]气墙隔离装置和原子层沉积系统有效
申请号: | 202020669719.5 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN212335282U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李哲峰;张光海 | 申请(专利权)人: | 深圳市原速光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 方昊佳 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种气墙隔离装置和原子层沉积系统,其中,气墙隔离装置包括箱体,所述箱体内形成有送料通道,所述箱体开设有连通所述送料通道的进料口和出料口,所述进料口和所述出料口分别设于所述箱体的两侧;所述箱体还开设有连通所述送料通道的两第一进气口,两所述第一进气口分别设于所述箱体的顶部和底部;两进气组件,两所述进气组件分别设于所述箱体的上方和所述箱体的下方,且所述进气组件具有出气端,所述出气端与所述第一进气口连通,用于给所述送料通道内充入气体;加热组件,所述加热组件设于所述箱体的外表面,用于对所述箱体进行加热。本实用新型旨在隔离各反应腔之间的气体窜流,以提高原子层沉积反应的精确度。 | ||
搜索关键词: | 隔离 装置 原子 沉积 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的