[实用新型]低电容低钳位电压瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型涉及一种低电容低钳位电压瞬态电压抑制器。为低电容低钳位电压瞬态电压抑制器结构的TVS管，包含N‑型的硅衬底N‑sub硅片、P型阱PW、P+区、N+区、介质、接地金属层Gnd、接电源金属层VCC、信号端IO1和IO2金属的TVS器件，其特征在于：在N‑型的硅衬底N‑sub或生长的N‑型外延层N‑epi上至少包括第一至四P型阱PW1‑4，其TVS管由N+/PW2/PW3/N+组成双极性晶体管。本实用新型低电容低钳位电压瞬态电压抑制器结构的TVS管为双极型晶体管效应，不仅具有击穿电压和触发电压低，保护响应更快的优点；还具有导通电阻和钳位电压都更小的特性，对后级集成电路的保护能力更强。