[实用新型]氮化镓肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 202020685478.3 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN212136453U 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 江守权 申请(专利权)人: 得力新应用材料有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L23/367;H01L21/329
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种氮化镓肖特基二极管,其包括依序堆栈的第二金属电极层、金属基板、键合金属层、奥姆接触金属层、单晶氮化镓半导体材料层、氮化镓电流飘移层、埋入氧化层及第一金属电极层,其主要由采用高导电性的金属基板,以达到增进导热效果及低电阻率效果。
搜索关键词: 氮化 镓肖特基 二极管
【主权项】:
暂无信息
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