[实用新型]氮化镓肖特基二极管有效
申请号: | 202020685478.3 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN212136453U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 江守权 | 申请(专利权)人: | 得力新应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/367;H01L21/329 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供一种氮化镓肖特基二极管,其包括依序堆栈的第二金属电极层、金属基板、键合金属层、奥姆接触金属层、单晶氮化镓半导体材料层、氮化镓电流飘移层、埋入氧化层及第一金属电极层,其主要由采用高导电性的金属基板,以达到增进导热效果及低电阻率效果。 | ||
搜索关键词: | 氮化 镓肖特基 二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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