[实用新型]高选择性阵列MOS传感器有效
| 申请号： | 202020694718.6 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN212540216U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙建海;陈婷婷;赵佩月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高选择性阵列MOS传感器，包括：基底；多个敏感单元，形成于所述基底上，所述多个敏感单元形成阵列结构；加热器，形成于所述基底上，所述敏感单元外围；电极层，形成于所述基底上，所述电极层与敏感单元和加热器电连接；其中，所述电极层包括多个引出端，用于监测不同敏感单元组合的端点电位。本实用新型通过采用多个阵列结构的敏感单元及电极层的多个引出端以形成不同敏感单元组合的连接电路，可以实现不同气体高灵敏响应。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 阵列 mos 传感器 | ||
【主权项】：
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