[实用新型]增加真空吸附力的顶针帽有效
| 申请号： | 202020741022.4 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN211555847U | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 曾志铭;陈成;罗龙梅 | 申请（专利权）人： | 吉安市木林森照明器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327 | 代理人： | 杨连华 |
| 地址： | 343000 江西省吉安*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种增加真空吸附力的顶针帽，涉及LED芯片封装技术领域，在传统顶针帽利用真空吸附通孔吸附芯片蓝膜的基础上，在顶针帽主体的上端面开设吸附凹槽，同时在吸附凹槽的槽底设置若干个真空吸附槽孔，通过吸附凹槽增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合，使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固，防止芯片打花以及漏抓异常。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 真空 吸附力 顶针 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
