[实用新型]一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版有效
| 申请号： | 202020766860.7 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN212209483U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 陈桥梁;刘挺;王新;楼颖颖;杨乐 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司;旭矽半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版，所述掩膜版包含由不同走向沟槽的芯片组成的芯片矩阵；所述芯片矩阵内包含两种芯片，其芯片尺寸面积和设计相同，仅沟槽走向不同，两者的沟槽走向相互垂直。本实用新型将晶圆生产中产生的应力通过不同图形的排布相互抵消，实现较少减薄至200微米以下时，晶圆水平方向的翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试的自动化作业，减少碎片引入的损失和沾污。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 应力 屏蔽 沟槽 mosfet 掩膜版 | ||
【主权项】：
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