[实用新型]一种氮化镓基外延结构有效
| 申请号： | 202020891889.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN212010977U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;林科闯;张恺玄;刘波亭;郑元宇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基外延结构，由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。本实用新型利用周期性极化掺杂纳米单元层，可以减小背景自由电子浓度从而形成高阻值的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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