[实用新型]一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构有效
| 申请号： | 202020929111.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN212163817U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 肖勇超;吴均 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，包括若干个T拓扑分支走线，相邻两个所述T拓扑分支走线通过颗粒分支走线连接，其特征在于，所述T拓扑分支走线包括表层分支走线和底层分支走线，所述表层分支走线与所述底层分支走线通过T拓扑过孔对接，所述T拓扑过孔均位于DDR颗粒的优化区域内,且所述T拓扑分支走线的阻抗大于所述颗粒分支走线的阻抗。本实用新型通过优化T拓扑过孔和提高T拓扑分支走线的阻抗，实现了在不增加其他器件前提下，优化了信号质量；进一步的，T拓扑分支走线线宽变细，提高了PCB板的空间利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 拓扑 ddr 模块 信号 质量 pcb 结构 | ||
【主权项】：
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