[实用新型]SiC MOSFET监测电路有效
| 申请号： | 202020967907.6 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN212586494U | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈媛;贺致远;陈义强;侯波;刘昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及状态监测技术领域，公开了一种SiC MOSFET监测电路，包括采样模块，用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理，并将采集到的电信号与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本实用新型提供的所述SiC MOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时，可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警，监测过程对系统正常工作的干扰小，且预测精度高。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 监测 电路 | ||
【主权项】：
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