[实用新型]非易失多值忆阻器有效
申请号: | 202020972146.3 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN211743191U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 陈子龙;程传同;李刘杰;黄北举;毛旭瑞 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 黄晓明 |
地址: | 215131 江苏省苏州市相*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种非易失多值忆阻器,包括:衬底、以及依次形成于衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极,其中,金属底电极临近功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒,若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。本发明的优点包括:所提供的忆阻器能够实现高一致性非易失多值的特性。 | ||
搜索关键词: | 非易失多值忆阻器 | ||
【主权项】:
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