[实用新型]一种液态磷注入法合成磷化铟的系统有效
| 申请号： | 202020974671.9 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN212895088U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 付莉杰;孙聂枫;王书杰;李晓岚;张鑫;张晓丹;史艳磊;邵会民;王阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/02 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型一种液态磷注入法合成磷化铟的系统，属于半导体技术领域，包括基于原位合成法的InP单晶炉、设置在单晶炉内的提拉式籽晶杆、石英磷泡、磷源炉及坩埚，关键在于：所述单晶炉内还设置有冷凝器，冷凝器包括充有冷却液的冷却箱和浸在冷却液内的螺旋管，螺旋管的入口与石英磷泡的口部连通，螺旋管的出口插入坩埚内的铟熔体中，石英磷泡设置在磷源炉内。该系统中，在单晶炉内增设冷凝器并将石英磷泡与冷凝器连接，石英磷泡内的固态磷被磷源炉加热气化，气态磷进入冷凝器冷却为液态磷注入坩埚内的铟溶体中。能够在较低温度下、高效率、高纯度的配比、大容量合成磷化铟溶体，利于生长富磷磷化铟多晶，易于磷化铟单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液态 注入 合成 磷化 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020974671.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
