[实用新型]InSb敏感元、InSb光电红外传感器及探测器有效

专利信息
申请号: 202021006090.2 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN212230437U 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 古瑞琴;郭海周;杨志博;高胜国;田勇;钟克创;张小水 申请(专利权)人: 郑州炜盛电子科技有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;H01L31/0304;H01L31/09
代理公司: 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 代理人: 武亚楠
地址: 450001 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 实用新型提供一种InSb敏感元、InSb光电红外传感器及探测器,所述InSb敏感元包括底托、至少一个InSb单晶片和至少一组导电电极;所述InSb单晶片上表面两端分别设置所述导电电极,所述导电电极与InSb单晶片接触连接;所述InSb单晶片下表面粘贴在所述底托的下沉槽中,所述底托贴装在所述管座上。该InSb光电红外传感器中,底托的设置便于InSb单晶片的安装,防止InSb单晶片破碎,提高InSb敏感元的成品合格率;该InSb光电红外传感器具备灵敏度高、响应波段宽、响应速度快的优点。
搜索关键词: insb 敏感 光电 红外传感器 探测器
【主权项】:
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