[实用新型]一种子像素结构、像素排布结构和硅基微显示器有效
申请号: | 202021028476.3 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN212303670U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 季渊;沈伟星;王成;刘万林;穆廷洲 | 申请(专利权)人: | 昀光微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海智威知识产权代理有限公司 31356 | 代理人: | 余艳 |
地址: | 200120 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及微显示技术领域,具体涉及一种子像素结构、像素排布结构和硅基微显示器,本实用新型所述子像素结构包括:第一部分和第二部分,第一部分在硅基微显示器的硅基板上的投影形成第一图形,第二部分在硅基微显示器的硅基板上的投影形成第二图形,第一图形与第二图形均为平行四边形且二者之间呈镜像对称;第一图形和第二图形之间形成第一夹角,第一夹角大于0度小于180度。本实用新型能够提高硅基微显示器的抗锯齿作用,改善硅基微显示器的显示效果,提升用户使用体验。 | ||
搜索关键词: | 种子 像素 结构 排布 硅基微 显示器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的