[实用新型]一种近红外钙钛矿发光二极管有效

专利信息
申请号: 202021036369.5 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN212542486U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 方国家;刘陈威;刘永杰;姚方 申请(专利权)人: 武汉大学深圳研究院
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 武汉天力专利事务所 42208 代理人: 程祥
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种近红外钙钛矿发光二极管,包括依次层叠的ITO衬底、二氧化锡/氧化锌复合电子传输层、钙钛矿发光层、修饰层、空穴传输层和MoOx/Au电极;所述二氧化锡/氧化锌复合电子传输层由旋涂在ITO衬底上的二氧化锡薄膜和旋涂在二氧化锡薄膜上的氧化锌薄膜组成。本实用新型利用二氧化锡量子点宽带隙,高迁移率等特点提供了以二氧化锡/氧化锌复合层作为电子传输层的近红外钙钛矿发光二极管,实现了798nm处的近红外发光,启亮电压低至1.2 V,实现了三维钙钛矿的高效近红外发光,外量子效率提高到了5.37%。
搜索关键词: 一种 红外 钙钛矿 发光二极管
【主权项】:
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