[实用新型]氮化镓功率器件结构有效
| 申请号： | 202021048331.X | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN212257404U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 贺洁;王书昶;黄飞明;励晔 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L23/367;H01L21/335 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓功率器件结构，它包括衬底、成核层、第一GaN外沿层、插入层、第二GaN外沿层、AlGaN势垒层、栅极插入层、p型GaN栅极、保护层、散热层、源极金属、栅极金属与漏极金属，在AlGaN势垒层的上表面中部开设有势垒层凹陷，在栅极插入层的下表面设有栅极插入层凸起，栅极插入层凸起嵌入势垒层凹槽内并填满势垒层凹陷，在保护层的上表面开设有保护层凹陷，在散热层的下表面设有散热层凸起，散热层凸起嵌入保护层凹陷内并填满保护层凹陷。本实用新型有效地避免了电流崩塌效应，极大地增加了散热面积和通道，提升了器件的散热性能，因此器件的可靠性得到进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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