[实用新型]高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202021091327.1 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN212033028U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;王根毅;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/027;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属、第一导电类型衬底、外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层与源极金属，第二导电类型体区被沟槽切割成条状并且互相平行，在第二导电类型体区的上表面两侧均设有在沟槽的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区，在第二导电类型体区的上表面中部设有第二导电类型阱区，第一导电类型源区的下表面低于第二导电类型阱区的下表面，块状第二导电类型阱区沿着沟槽的延伸方向上呈间隔设置在第二导电类型阱区上，第一导电类型源区被块状第二导电类型阱区断开。本实用新型减小了寄生积极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启，避免了发生回跳现象。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 高密度 功率 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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