[实用新型]一种电阻器件结构有效
| 申请号： | 202021102854.8 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN212084982U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电阻器件结构，包括：衬底，衬底包括浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区上方的多晶硅层，以及至少一个接触结构，接触结构包括：第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触位于多晶硅层上，第二金属接触位于衬底上，第一金属接触和第二金属接触连接。这样，通过在多晶硅层上设置第一金属接触，在衬底上设置第二金属接触，并将第一金属接触和第二金属接触连接在一起，从而将多晶硅层上的热量通过第一金属接触以及第二金属接触传递至衬底中，利用金属的导热性以及衬底的散热能力，降低多晶硅层的温度，提高电阻的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 器件 结构 | ||
【主权项】：
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