[实用新型]一种砷化镓晶体生长用单晶炉有效
| 申请号： | 202021102900.4 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN213172685U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 马争荣;王建玲 | 申请（专利权）人： | 高密普特电子设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 殷盛江 |
| 地址： | 261500 山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座。该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈，可以提供热量来源，设置电机、减速器和转动轴，可以使得炉体内部的受热箱可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶体生长 用单晶炉 | ||
【主权项】：
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