[实用新型]一种氮化镓外延芯片有效
| 申请号： | 202021110727.2 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN212209534U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李东键;叶宏伦;钟健;钟其龙;刘崇志;张本义 | 申请（专利权）人： | 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 罗恒兰 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的超级晶格层，每组超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层向氮化镓外延层方向交替堆叠；所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为x，所述缓冲层中各超级晶格层的x由种子层向氮化镓外延层逐渐减小。本实用新型在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 芯片 | ||
【主权项】：
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