[实用新型]上料装置及上下料装置有效
申请号: | 202021134810.3 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN212412070U | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 无锡先导智能装备股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏省无锡市无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种上料装置及上下料装置,包括用于输入载满待处理的硅片的花篮的物料输入机构,物料输入机构包括沿水平方向间隔布置的第一输入线和第二输入线;同时,上下料装置还包括翻转机构,能够提取花篮,并将花篮翻转180°;如此,第一输入线输入的花篮,以及经过翻转机构翻转的花篮,其顶面和底面相反,对应的,两个花篮中的硅片面向也相反;上下料装置还包括搬运机构,搬运机构接取这两组待处理的硅片时,其中一组硅片的第一面朝上,而另一组硅片的第二面朝上。一方面,通过设置两组输入线,能够提高上料效率;另一方面,由于两组工作线最终供给的硅片面向不同,满足了特殊工艺的需要。 | ||
搜索关键词: | 装置 上下 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的