[实用新型]一种基于紧缩场系统的多馈源阵近场模拟器有效

专利信息
申请号: 202021173228.8 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN212569113U 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 李志平;赵永衡;霍鹏 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01S7/40 分类号: G01S7/40
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 张乾桢;贾玉忠
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种基于紧缩场系统的多馈源阵近场模拟器,基于紧缩场偏焦控制和馈源阵激励源技术,可实现高质量近场球面波前模拟。通过对激励源位置的调整实现对反射面偏焦照射,偏焦后的反射面近场等效为不同位置处球面波源的近场波前,当激励源位置连续变化时,等效球面波源的位置也会连续变化,且近场球面波前的等效源位置在大范围内连续可调,且调整量与所期望的控制量间存在放大关系,即紧缩化地实现大距离范围内的近场模拟。激励源为馈源阵形式,通过对馈源阵单元幅相加权可综合出高质量准球面波波前,以克服单馈源激励产生的球面波存在的较大波前畸变的问题。本实用新型是用紧缩场实现大距离范围内可调且高质量球面波前的等效近场电磁环境。
搜索关键词: 一种 基于 紧缩 系统 馈源 近场 模拟器
【主权项】:
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