[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202021216623.X | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN212257406U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾莺华 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构。该半导体结构包括由SOI衬底和过渡层沿垂直方向层叠形成的层叠结构，所述SOI衬底沿垂直方向包括依次叠设处理晶片、埋氧层以及顶层硅，所述过渡层位于所述顶层硅上，且所述过渡层的材料为AlN；其中，所述层叠结构内沿垂直方向设有一个或者多个隔离区域，多个所述隔离区域呈阵列排列，沿垂直方向所述隔离区域的一端与所述过渡层的上表面平齐，另一端位于所述埋氧层中。本申请通过设置开设有的隔离区域的层叠结构，能够起到提高击穿电压的有益效果，从而提高了半导体结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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