[实用新型]沟槽MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 202021217031.X | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN212342640U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种沟槽MOS场效应晶体管，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述第二N型源极部和栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第二氧化硅层隔离；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的上端延伸至中掺杂P型基极区的上表面。本发明沟槽MOS场效应晶体管增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司，未经苏州硅能半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021217031.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生物工程用冷藏箱
- 下一篇：一种便携式环境检测装置
- 同类专利
- 专利分类
