[实用新型]中子辐射屏蔽门有效
| 申请号： | 202021221865.8 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN212406519U | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈秋宏;奚昂涛;黄瑞铭 | 申请（专利权）人： | 广东中科揽胜辐射防护科技有限公司;佛山市纳西弗科技有限公司 |
| 主分类号： | E06B5/18 | 分类号： | E06B5/18;E06B3/70;E06B7/24;B32B15/18;B32B15/085;B32B27/06;B32B27/32;B32B3/04;B32B33/00;G21F3/00;G21F1/12 |
| 代理公司： | 佛山知正知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44483 | 代理人： | 尧娟 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市南海区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 中子辐射屏蔽门，涉及中子辐射屏蔽技术领域，其包括门体，门体包括屏蔽外层和用于吸收中子的吸收内层，门体可分为至少两个门板，各个门板拼合时为关门状态，相邻的两个门板的拼合接面为相互配合的曲面，每个门板的外拼合接面是弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板的外拼合接面拼合形成的外拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，外拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，外拼合接面为拼合接面在外屏蔽外层的部分，外屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门外的一层屏蔽外层。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 辐射 屏蔽门 | ||
【主权项】：
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