[实用新型]径向磁控管波导激励腔有效
| 申请号： | 202021246168.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN212162048U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 袁博 | 申请（专利权）人： | 四川三三零半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/123 | 分类号： | H01P3/123;H01J25/50;H01J23/34 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 陈仕超 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及波导激励腔技术领域，具体是径向磁控管波导激励腔，用于解决现有技术中磁控管天线与矩形波导的输出端口正交，从而导致微波源整体高度高体积大，且空间利用率变低的问题。本实用新型包括从上到下相互连接的激励腔体和底部盖板，所述激励腔体包括依次成型为一体的矩形波导段、转弯波导段和匹配波导段，所述底部盖板上开有可让磁控管天线伸入矩形波导段内的输入端口，所述输入端口的中心线与匹配波导段的中心线相互平行。本实用新型通过转弯波导段改变波导的方向，最终使磁控管天线的长方向与匹配波导段的输出端口相互平行，这样可以有效的压缩微波系统中磁控管的安装高度，使微波源体积更小，空间利用率更高，微波损耗更低。 | ||
| 搜索关键词： | 径向 磁控管 波导 激励 | ||
【主权项】：
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