[实用新型]一种用于MPCVD的气体抽空结构有效

专利信息
申请号: 202021257466.7 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN212560429U 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 袁博 申请(专利权)人: 四川三三零半导体有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/44
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 陈仕超
地址: 610000 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及气体抽空结构技术领域,具体是一种用于MPCVD的气体抽空结构,用于解决现有技术中反应器高温气体不能及时流出,使反应器内的温度升高,以及工艺气体不能有效的流过钼托盘,从而降低了金刚石膜及单晶金刚石的生长效率的问题。本实用新型包括紫铜托盘和钼托盘,所述钼托盘安装在紫铜托盘的顶面,所述钼托盘的边缘均匀的开有多个通孔,所述紫铜托盘内安装有芯管,所述紫铜托盘内还开有连通芯管和通孔的气体通道。本实用新型通过通孔降低经过钼托盘的热通量,使钼托盘表面的温度场更均匀;同时通孔形成的气体通路能够将工艺气体从钼托盘的边缘有效排出,改善了反应器内部的流场分布,从而提高金刚石膜及单晶金刚石的生长效率。
搜索关键词: 一种 用于 mpcvd 气体 抽空 结构
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