[实用新型]一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚有效

专利信息
申请号: 202021257677.0 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN212610986U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 徐南;于国建;王垚浩;徐现刚 申请(专利权)人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚,通过坩埚体中SiC多晶料的上方依次设置气流匀化件和盖板。其中,气流匀化件包括平板、设置在平板上的密封盖,密封盖设置在平板中靠近盖板的一侧;平板的外周与坩埚体的内壁相接触,平板的中心开设有通孔;密封盖包括底壁以及从底壁延伸出的侧壁,侧壁上开设有多个通孔,密封盖通过其侧壁扣合在平板的通孔上。这样,在单晶生长时,SiC多晶料分解产生的气流经过平板和密封盖上的通孔后,气流的传输从原来的以对流为主的模式变成以扩散为主的模式,由于扩散模式气流传输速度相比于对流模式慢,所以碳颗粒会沉积下来,进而可以有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。
搜索关键词: 一种 用于 减少 碳化硅 中的 包裹 坩埚
【主权项】:
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