[实用新型]一种耐腐蚀硅晶片有效
| 申请号： | 202021282997.1 | 申请日： | 2020-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN212113674U | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 鲁长运;王艳丽 | 申请（专利权）人： | 昆山台洋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐腐蚀硅晶片，包括硅晶片主体、光刻面、上表层和下表层，所述硅晶片主体的内部设置有光刻面，所述硅晶片主体的外部设置有防护结构，所述硅晶片主体内部的两端均固定有防腐结构，且防腐结构的底端固定有加强结构，所述硅晶片主体的底端固定有下表层。本实用新型通过设置有防护结构实现了便于对硅晶片的边角处进行防护，防护套通过限位块固定在硅晶片主体的外部，限位块会限位在抵压块的内部，此时防护套会包裹在硅晶片主体的边角处，当硅晶片主体产生掉落的现象时，防护套会对硅晶片主体进行防护，从而实现了便于对硅晶片的边角处进行防护，避免了硅晶片的边角处遭到磨损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山台洋电子科技有限公司，未经昆山台洋电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021282997.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐磨型硅晶片
- 下一篇：一种抗冲击力强的硅晶片
