[实用新型]磁性斯格明子写入装置有效
| 申请号： | 202021291431.5 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN212934660U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 侯志鹏;卫智健;徐姣;王亚栋;张溪超;周艳 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 左帮胜 |
| 地址： | 511400 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁性斯格明子写入装置，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 明子 写入 装置 | ||
【主权项】：
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