[实用新型]具有可调电容的沟槽栅IGBT器件有效
| 申请号： | 202021293906.4 | 申请日： | 2020-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN212542441U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱永斌;邱嘉龙;李志军;何祖辉;邱秀华 | 申请（专利权）人： | 浙江天毅半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 曹玉清 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了具有可调电容的沟槽栅IGBT器件，包括N型漂移区，所述N型漂移区的底部设置有N+缓冲区，所述N+缓冲区的底部设置有P+集电区，N型漂移区的顶部设置有P型基区，P型基区的顶部设置有P型沟道区，N型漂移区顶部的两侧均贯穿设置有绝缘栅氧化层。本实用新型通过N型漂移区、N+缓冲区、P+集电区、P型基区、P型沟道区、卡柱、N型源区、可调电容、绝缘介质板、P+发射区、栅极导电多晶硅、电介质体、绝缘栅氧化层和绝缘橡胶垫的配合使用，解决了现有的沟槽栅IGBT器件通常不具备可调电容，在使用的过程中无法根据电路需求对IGBT的电容进行变化，且无法安装不同规格的可调电容，降低了沟槽栅IGBT器件的适用性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可调 电容 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江天毅半导体科技有限公司，未经浙江天毅半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021293906.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆级晶片封装结构
- 下一篇：一种船用输油臂用旋转式接头
- 同类专利
- 专利分类
