[实用新型]一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈有效

专利信息
申请号: 202021311464.1 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN212955435U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 张志富;王遵义;刘凯;吴磊;李小龙;陈玉桥;程亚胜;王彦君 申请(专利权)人: 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: C30B13/12 分类号: C30B13/12;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 薛萌萌
地址: 214200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈,包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝,所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构,且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝,其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝,所述主缝延伸至所述线圈本体外,与线圈本体外侧连接电极的法兰连接,所述冷却水管嵌入线圈本体的骨架内,所述铜管横向穿过冷却水管,且在线圈本体内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽。本实用新型的有益效果为:实现将掺杂气体直接输送到融化单晶处,且因为线圈水路降温的原因,气体不会在线圈内分解造成输送气体异常的情况,可实现对掺杂气体更高效的利用。
搜索关键词: 一种 改善 区熔硅单晶 电阻率 均匀 掺杂 线圈
【主权项】:
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