[实用新型]阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构有效
| 申请号： | 202021320663.9 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN212342633U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型沟槽，每个阶梯型沟槽至少具有三级，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的宽度呈逐级增大设置，由肖特基金属层填满阶梯型沟槽并覆盖第一导电类型碳化硅外延体区的上表面，阶梯型沟槽的外部由阶梯型第二导电类型体区所包围。本实用新型提高了抗突波电流能力，具有更低的器件顺向导通电压，具有更高的器件耐压，具有更低的漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 沟槽 碳化硅 jbs 两级 器件 结构 | ||
【主权项】：
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