[实用新型]具有抗突波能力的碳化硅两级管器件有效
| 申请号： | 202021329381.5 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN212342634U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本实用新型提高了抗顺向突波电流能力；本实用新型具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抗突波 能力 碳化硅 两级 器件 | ||
【主权项】：
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