[实用新型]生产碳化硅单晶用热辐射反射装置有效
| 申请号： | 202021359830.0 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN213866494U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高超;高宇晗;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王振南 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种生产碳化硅单晶用热辐射反射装置。所述装置包括热辐射反射镜面，所述热辐射反射镜面能够围绕于PVT法生产碳化硅单晶用长晶坩埚的外周，且能够将所述坩埚处散发出来的热量反射回所述坩埚处。本实用新型通过试验证明，在PVT法碳化硅长晶坩埚外周设所述装置可以降低长晶所用的功率，节约电能和长晶成本，同时可以降低碳化硅晶体出现晶体多型或微管等缺陷，提高良品率；另外，由于使用所述装置后热量主要反射回坩埚处，向外传导的热量很少，不需要对PVT法生产碳化硅单晶的装置外部进行降温，取代了长晶装置外的循环水或者进出风口的冷却方式，减小了长晶条件出现波动的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 碳化硅 单晶用 热辐射 反射 装置 | ||
【主权项】：
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